① 北京認證機構有哪些
法律分析：國標（北京）檢驗認證有限公司，國標（北京）檢驗認證有限公司,是中國權威的第三方檢驗認證服務機構，致力於為客戶提供一站式質量保障服務。公司隸屬於國資委下屬央企有研科技集團，管理並運營著國家有色金屬及電子材料分析測試中心（1983年由原國家科委批准建立）與國家有色金屬質量監督檢驗中心（1985年由國家質量技術監督局批准建立）。中心於1992年通過計量認證(CMA)，2001年通過中國合格評定國家認可委員會（CNAS）認可。中心擁有雄厚的技術力量，先進齊全的儀器裝備，依據國際標准制定的質量管理體系（ISO/IEC17025），是我國有色金屬及電子材料的權威檢測機構，同時是我國有色金屬行業分析測試標準的主要起草單位之一。北京世紀金光半導體有限公司，北京世紀金光半導體有限公司。公司成立於2010年12月，注冊資金23,656萬。經過多年發展，世紀金光已成為集半導體單晶材料、外延、器件、模塊的研發、設計、生與銷售於一體的、貫通第三代半導體全產業鏈的「雙創型」高新技術企業。「世紀金光」寬禁帶功能材料和功率器件檢測中心可對功率半導體進行失效機理分析以及可靠性的評估。目前，「世紀金光」自主研發的碳化硅SBD和MOSFET在工業領域均按照AEC-Q101標准進行檢測，軍工領域按照GJB33進行全項檢測。同時，公司將完成功率模塊檢測平台、封裝性能檢測平台、機械試驗平台的建設。檢測中心可檢測從單晶、外延、器件到模塊等一系列產品，檢測能力覆蓋器件封裝形式、使用標准、質量等級等。中國建築材料工業規劃研究院，中國建築材料工業規劃研究院能效評估中心托於國家課題「建材能源節約服務平台建設」和「建材資源綜合利用服務平台建設」項目建立，擁有建材行業能效評價診斷，資源綜合利用研究的儀器設備百餘套，取得了國家計量認證（CMA）資質，形成以熱工檢測與評估、電能檢測與評估、能源審計、廢棄物資源利用檢測與評估、綠建環境檢測與評估為特色的節能減排低碳——綠色發展技術服務體系。其中實驗室檢測分析主要有元素分析和物相分析、微觀形貌分析、差熱和熱重分析、粒度、比表面積測定、煤工業分析、水泥水化熱分析等。
法律依據：國家質量監督檢驗檢疫總局令第193號《認證機構管理辦法》 第八條 取得認證機構資質，應當符合下列條件：（一）取得法人資格；（二）有固定的辦公場所和必要的設施；（三）有符合認證認可要求的管理制度；（四）注冊資本不得少於人民幣300萬元；（五）有10名以上相應領域的專職認證人員。從事產品認證活動的認證機構，還應當具備與從事相關產品認證活動相適應的檢測、檢查等技術能力。外商投資企業在中華人民共和國境內取得認證機構資質，除符合上述條件外，還應當符合《認證認可條例》規定的其他條件。
② 第三代半導體大熱，揭秘騙子露笑科技
露笑 科技 最近有點火啊。
在老師們罵他是騙子、「露笑 科技 把人整笑了」後，露笑 科技 也迎來大跌，跌了20%左右。
股吧、雪球眾人都各持己見，論戰不休。
但是並沒有業內人士出來說道說道這個，這就有點神奇了。
行外看熱鬧，非專業人士說的東西，大家要有一些判斷。
現代科學的發展進步，其實已經到了普通人很難理解的程度了，不信你看看下面這個「標准模型」的公式：
要是你不懂這個標准模型的話，第三代半導體，你也就是連入門都說不上了。
不知道老師們懂不懂這個啊。
01
首先簡介一下第三代半導體
1. 導體和半導體
量子力學認為，組成物質的原子是由原子核和電子組成的，電子以電子軌道的方式在核外運動。
原子和原子組成物體時，會有很多相同的電子混在一起，這個相混的過程就是化學反應，形成化學鍵，就產生了新分子。
但是兩個相同的電子沒法呆在一個軌道上，為了讓這些電子不在一個軌道上打架，於是很多軌道就再分裂出好幾個軌道。
可是這么多軌道，一不小心挨得近了，就會擠在一起，形成寬軌道，這個寬軌道，就叫做能帶。
有些寬軌道上，擠滿了電子，電子就沒法移動，宏觀上就表現為絕緣，這個就叫做價帶。
而有些款軌道，則空曠的很，電子大把空間自由移動，宏觀上就表現為導電，這個就叫做導帶。
固體裡面充滿了價帶和導帶，價帶和導帶之間往往是有間隙的，這個間隙就叫做禁帶。
導帶和價帶之間挨得很近，那麼電子就可以毫不費力地從價帶變更車道到導帶上，這就是導體。
如果稍微離得遠了點，電子自身就不能跨過禁帶，但是如果也不是離得非常遠，禁帶在5ev內，那麼給電子加個額外能量，電子也能跨過禁帶，這就是半導體。
假如禁帶大於5ev，那基本就歇逼菜了，電子在普通情況下是跨不過去的，這就是絕緣體。
當然，凡事都有例外嘛，如果能量足夠大，別說5ev的禁帶，就是5000ev的禁帶也能一沖而過，這個就叫擊穿場強（這個東西很重要，不信繼續看下去）。
當然，禁帶越寬，擊穿場強越高。
擊穿場強越高，就越耐草。
2. 第三代半導體
不要被第三代給嚇著了，哈哈。
第三代半導體，嚴謹地來說，叫做寬禁帶半導體，也就是禁帶寬於現在的硅基半導體。
按照半導體材料能帶結構的不同，禁帶寬度如果小於2.3ev，那就是窄禁帶半導體，代表材料有：GaAs、Si、Ge、InP（有讀者可能不了解化學，這幾個材料翻譯成中文就是：砷化鎵、硅、鍺、磷化銦）。
如果禁帶寬度大於2.3ev，那就叫做寬禁帶半導體，代表材料有：GaN、SiC、AlN、AlGaN（中文名：氮化鎵、碳化硅、氮化鋁、氮化鎵鋁）。
由前文分析，我們可知，半導體禁帶寬度越大，則其電子躍遷到導帶需要的能量也就越大。
呵呵，那當然擊穿場強也越大了，這意味著材料能承受的溫度和電壓更加高。
由此可知，寬禁帶半導體和集成電路，也就是和邏輯晶元，沒有什麼太大關系了。
邏輯晶元的核心在於怎麼把晶體管做小，也就是製程提高。
而電力電子器件、激光器，則是怎麼考慮承受更高的電壓、電流、頻率、溫度，然後有更小的電力損耗，以應用在各種惡劣環境和大功率環境下。
想的是怎麼耐草的問題。
所以，寬禁帶半導體大展身手的地方，在電力電子器件、激光發生器上。
目前比較有希望的兩種材料是碳化硅和氮化鎵，其他的長晶很困難。
碳化硅主要用在功率器件上，現在最熱的就是用在電動車上，因為帶來電力損耗減少，能夠提高電動車的續航。
以後在光伏和風電發電中，用上碳化硅的話，也能夠提高發電效率，促進度電成本下降。
所以在這么一個政治家推動的電氣化時代，其需求是很迫切的。
氮化鎵則主要是用於微波器件上，比如5G基站的射頻晶元就要用到它，否則效果就比較差。
特別是軍方的電磁對抗，更加需要氮化鎵，來增加單位微波功率。
在5G時代，氮化鎵是不可或缺的。
02
露笑是個大坑嗎
國內的話，研究寬禁帶半導體主要有3個流派，中科院物理所、中科院上海硅酸鹽所、山東大學，最主要的研究方向就是寬禁帶半導體襯底的晶體生長。
因為這個行業最源頭的，以及最難的，就是襯底片的製造。
就像硅基的半導體，要是沒有矽片，那做毛個晶元呢？
這三個流派都是90年代開始就開啟研究了，起步時間和國外是差不太多的，讀者有興趣可以自行搜索下他們的論文。
中科院物理所是陳小龍領頭，成立產學研轉化的企業是天科合達。
這個企業去年撤回了IPO，有些奇怪。
坊間傳聞，據說是陳小龍出走了。
天科合達的金主是新疆生產建設兵團，控股方是天富集團，A股的影子股是天富集團控股的天富能源，佔了10.66%的股份。
山東大學是徐現剛領頭，產學研的企業是山東天岳。
原本的領頭人是徐現剛的老師蔣民華院士，遺憾的是這位大佬不幸於2011年逝世，事未竟而身先死，科學真的是燒人的事業啊。
這里向領路的大佬致以崇高的敬意！
山東天岳前段時間參加了上市輔導，相信很快就會跟大家在A股見面。
大家對他的熱情也是非常高漲啊，穿透下來只有他股權2%的柘中股份都被資金頂了7個板。
中科院上海硅酸鹽所，則是陳之戰領頭。
陳之戰之前在世紀金光干過，後來20年5月份，和露笑 科技 走在了一起。
這個露笑 科技 ，算是最近的股吧熱門了。
漲了一倍之後，前幾天就出來自媒體的老師們在微信公眾號、抖音等平台出來說，這是家蹭熱點的騙子公司。
對比大家一定要有自己的判斷，要知道這些老師並不是業內人士，很有可能不懂技術，只是翻了一下二手資料。
露笑 科技 曾經追逐熱點，投資的鋰電池、光伏也都失敗了。
但是並不能以此推導出他的管理層就是壞傢伙。
露笑 科技 原來的主營業務漆包線，是人都知道的傳統行業，競爭激烈，管理層當然也知道這是沒有什麼前途的。
謀取轉型，某種程度上說明管理層是有進取心的。
但轉型是困難的，踏足一個未知領域，哪有這么簡單。
這個頭疼的東西，山西的煤老闆們最清楚了。
而做一級投資的都知道，熱門行業的好項目，是拼爹的玩意兒，要各種關系、資源的，那個東西是你手上有錢就能投的進去的嗎？
但是如果沒有投到厲害的公司身上，那大概率是要被有爹的給乾死的。
在低潮期撿漏，像高瓴投騰訊、段永平投網易，都是高難度動作，傳奇故事，需要天時地利人和來配合，這種機會不僅是少，而且非常難把握。
碳化硅這個東西嘛，以往並不是很熱，因為商業化應用的領域沒有出來。
陳小龍在媒體采訪時就曾經透露到，天科合達在成立後的10多年裡未曾盈利，給投資方和團隊都帶來了非常大的壓力。
而美國軍方扶持起來的CREE，就算有軍方爸爸，但是在2016年的時候也頂不住，想要把企業賣給英飛凌。
而電動車領域里，就在2020年，特別疫情期間，大家還懷疑，補貼退坡之後，會不會就面臨死亡了。
當時還有人專門寫了《預言一場電動爹大逃殺》來看空呢。
那你們想想，碳化硅器件目前最好的應用場景，在去年都還是這個熊樣，誰又會多留意碳化硅呢？
當時的大熱門還是功率器件的國產替代，是硅基的IGBT、MOSFET，是斯達半導體、新潔能。
所以20年露笑 科技 找到陳之戰，或許和以往的投資，有些不同吧。
國內碳化硅襯底還局限在二極體的應用，晶元質量主要來自於襯底，也因此幾乎國內SiC器件都來自國外。
目前碳化硅四寸片，做的比較好的是天科合達、河北同光以及山西爍科等幾家企業。
但是六寸量產（每個月穩定出貨量在幾百片）的廠商，目前還基本沒有。
也就是說，三大流派其實還是半斤八兩，都還需要突破，否則華為怎麼對天科合達和山東天岳都一起投資呢？
當下這個階段就是，誰能率先突破，誰就會享有先發優勢，並在行業景氣的助力下，實現超額收益，獲得市場的估值溢價。
或許當合肥露笑半導體的碳化硅襯底片出來後，華為也會進來投資一筆呢。
合肥市政府號稱最牛風投，人家可不是傻子。
至於說露笑 科技 沒有技術積累，這真不知道怎麼說，陳之戰大哥和他的團隊、學生已經研究了20多年了。
很可能是，露笑 科技 的藍寶石業務部門，19年在給中科鋼研代工碳化硅長晶爐的時候，突然發覺這是個有戲的行業，隨後才找到了陳之戰。
總之，對於露笑 科技 ，大家要有自己的判斷，核心點有且只有一個，陳之戰團隊能不能紮下根來。
最後，做個總結。
君臨認為，目前碳化硅的投資，最好的應該是襯底環節，這個環節現在產能不足、壁壘極高。
而襯底的企業，則主要是看已經研究了20多年的國內三大流派旗下企業。
按照中國的科研環境、功率器件企業發展狀況來說，其他的團隊壓根沒法分杯羹。
材料技術是積累出來的，燒人燒時間，更加燒錢。
現在行業熱了再來開始研發，短時間根本不可能見效。
中科院的兩個研究所，山東大學蔣院士的團隊，科研的資源肯定是最豐富的，但是人家陳小龍都說壓力很大，所以別的團隊申請科研基金都不容易。
露笑 科技 說9月份能試生產，年底批量生產，而且是6英寸的，有陳之戰在，應該不是講大話。
一旦襯底片年底真的量產了，那就是國內領先了，以國內資金對 科技 的熱度，自然會有神秘的東方估值力量。
寬禁帶半導體領域里，全球都還是在懵懵懂懂的階段，咱們和美國雖然有差距，但也不是這么大。
特別是他的主要應用領域，新能源發電、新能源 汽車 、5G通訊、航空航天、電磁對抗，咱們國家都是最大的應用市場和製造商，特別是光伏、風電、電動車、5G這些大規模民用的領域。
技術的進步還是源自經濟利益的驅使，產業的需求對於技術進步的作用是最大的。
所以寬禁帶半導體的投資在目前是大有可為，很有可能在我們國家誕生全球龍頭，這個想像空間大不大？
至於氮化鎵等材料，以及外延、器件設計製造等環節，行業本就是新興的，肯定也是有大機會的，君臨會在後續的跟蹤文章中持續輸出，帶領讀者徹底搞定這個領域。
③ 北京檢測機構有哪些
法律分析：1、國標（北京）檢驗認證有限公司2、北京世紀金光半導體有限公司3、中國建築材料工業規劃研究院4、中國檢驗認證集團檢驗有限公司等。
法律依據：《建設工程質量檢測管理辦法》 第四條 檢測機構是具有獨立法人資格的中介機構。檢測機構從事本辦法附件一規定的質量檢測業務，應當依據本辦法取得相應的資質證書。檢測機構資質按照其承擔的檢測業務內容分為專項檢測機構資質和見證取樣檢測機構資質。檢測機構資質標准由附件二規定。檢測機構未取得相應的資質證書，不得承擔本辦法規定的質量檢測業務。
④ 北京世紀金光是騙子
北京世紀金光是一家一家半導體晶體材料及外延器件製造商，不是騙子。
世紀金光是一家半導體晶體材料及外延器件製造商，主要產品有碳化硅高純粉料、碳化硅單晶片、氮化鎵基外延片、石墨烯、碳化硅SBD器件、碳化硅MOSFET器件、碳化硅功率模塊等；此外公司還為用戶提供第三代寬禁帶半導體材料及器件的物理性能、材料微觀結構、電性能以及環境可靠性實驗等測試服務。
⑤ 氮化鎵市場風口來臨 國內哪些企業在布局
日前，華為旗下哈勃投資入股山東天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料再次走入大眾視野，引起業界重點關注。
事實上，隨著半導體技術不斷進步，對半導體器件性能、效率、小型化要求的越來越高，傳統硅半導體材料逐漸無法滿足性能需求，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體材料憑借著優異的性能，早已成為當前世界各國競相布局的焦點，我國在加速發展集成電路產業的同時，把發展第三代半導體技術列入國家戰略。
如今5G時代到來，將推動半導體材料實現革命性變化。其中，氮化鎵器件以高性能特點廣泛應用於通信、國防等領域，其市場需求有望在5G時代迎來爆發式增長。風口來臨，我國目前有哪些企業在布局？下面將從襯底、外延片、製造及IDM幾大分類盤點國內氮化鎵主要企業。
GaN襯底企業
東莞市中稼半導體 科技 有限公司
東莞市中鎵半導體 科技 有限公司成立於2009年1月，總部設於廣東東莞，總注冊資本為1.3億元人民幣，總部設立廠房辦公區等共17000多平方米，並在北京有大型研發中心，為中國國內一家專業生產氮化鎵襯底材料的企業。
官網顯示，中鎵半導體已建成國內首家專業的氮化鎵襯底材料生產線，制備出厚度達1100微米的自支撐GaN襯底，並能夠穩定生產。2018年2月，中鎵半導體實現4英寸GaN自支撐襯底的試量產。
東莞市中晶半導體 科技 有限公司
東莞市中晶半導體 科技 有限公司成立於2010年，是廣東光大企業集團在半導體領域繼中鎵半導體、中圖半導體後布局的第三個重點產業化項目。
中晶半導體主要以HVPE設備等系列精密半導體設備製造技術為支撐，以GaN襯底為基礎，重點發展Mini/MicroLED外延、晶元技術，並向新型顯示模組方向延展；同時，中晶半導體將以GaN襯底材料技術為基礎，孵化VCSEL、電力電子器件、化合物半導體射頻器件、車燈封裝模組、激光器封裝模組等國際前沿技術，並進行全球產業布局。
蘇州納維 科技 有限公司
蘇州納維 科技 有限公司成立於2007年，致力於氮化鎵單晶襯底的研發與產業化，實現了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產、完成了4英寸產品的工程化技術開發、突破了6英寸的關鍵技術，現在是國際上少數幾家能夠批量提供2英寸氮化鎵單晶產品的單位之一。
據官網介紹，目前納維 科技 GaN單晶襯底產品已提供給300餘家客戶使用，正在提升產能向企業應用市場發展，重點突破方向是藍綠光半導體激光器、高功率電力電子器件、高可靠性高功率微波器件等重大領域。
鎵特半導體 科技 （上海）有限公司
鎵特半導體 科技 （上海）有限公司成立於2015年4月，主要從事大尺寸的高質量、低成本氮化鎵襯底的生長，以推動諸多半導體企業能夠以合理價來購買並使用氮化鎵襯底。鎵特半導體已自主研發出HVPE設備，並用以生長高質量的氮化鎵襯底。
官網顯示，藉助自主研發的HVPE設備，鎵特半導體已成功生長出4英寸的自支撐氮化鎵襯底。鎵特半導體表示，未來幾年內將建成全球最大的氮化鎵襯底生長基地，以此進一步推廣氮化鎵襯底在半導體材料市場上的廣泛應用，並將依託自支撐GaN襯底進行中下游的高端LED、電力電子及其他器件的研發和製造。
GaN外延片企業
蘇州晶湛半導體有限公司
蘇州晶湛半導體有限公司成立於2012年3月，致力於氮化鎵（GaN）外延材料的研發和產業化。2013年8月，晶湛半導體開始在蘇州納米城建設GaN外延材料生產線，可年產150mm氮化鎵外延片2萬片；2014年底，晶湛半導體發布其商品化8英寸硅基氮化鎵外延片產品。
官網介紹稱，截至目前，晶湛半導體已完成B輪融資用於擴大生產規模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月產能達1萬片。晶湛半導體現已擁有全球超過150家的著名半導體公司、研究院所客戶。
聚能晶源（青島）半導體材料有限公司
聚能晶源（青島）半導體材料有限公司成立於2018年6月，專注於電力電子應用的外延材料增長。針對外延材料市場，聚能晶源正在開發硅基氮化鎵材料生長技術並銷售硅基氮化鎵外延材料作為產品。
2018年12月，聚能晶源成功研製了達到全球業界領先水平的8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓。該型外延晶圓在實現了650V/700V高耐壓能力的同時，保持了外延材料的高晶體質量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足產業界中高壓功率電子器件的應用需求。
北京世紀金光半導體有限公司
北京世紀金光半導體有限公司成立於2010年12月，經過多年發展，世紀金光已成為集半導體單晶材料、外延、器件、模塊的研發、設計、生產與銷售於一體的、貫通第三代半導體全產業鏈的企業。
在碳化硅領域，世紀金光已實現碳化硅全產業鏈貫通，氮化鎵方面，官網顯示其目前則以氮化鎵基外延片為主。
聚力成半導體（重慶）有限公司
聚力成半導體（重慶）有限公司成立於2018年9月，是重慶捷舜 科技 有限公司在大足區設立的公司。2018年9月，重慶大足區政府與重慶捷舜 科技 有限公司簽約，擬在重慶建設「聚力成外延片和晶元產線項目」。
2018年11月，聚力成半導體（重慶）有限公司舉行奠基儀式，項目正式開工。該項目佔地500畝，計劃投資50億元，將在大足高新區建設集氮化鎵外延片、氮化鎵晶元的研發與生產、封裝測試、產品設計應用為一體的全產業鏈基地。2019年6月5日，該項目一期廠房正式啟用，預計將於今年10月開始外延片的量產。
GaN製造企業
成都海威華芯 科技 有限公司
成都海威華芯 科技 有限公司成立於2010年，是國內首家提供6英寸砷化鎵/氮化鎵微波集成電路的純晶圓代工企業。據了解，海威華芯由海特高新和央企中電科29所合資組建，2015年1月，海特高新以5.55億元收購海威華芯原股東股權，並以增資的方式取得海威華芯52.91%的股權成為其控股股東，從而涉足高端化合物半導體集成電路晶元研製領域。
海威華芯6英寸第二代/第三代半導體集成電路晶元生產線已於2016年8月投入試生產。官網顯示，海威華芯已開發了5G中頻段小於6GHz的基站用氮化鎵代工工藝、手機用砷化鎵代工工藝，發布了毫米波頻段用0.15um砷化鎵工藝。砷化鎵VCSEL激光器工藝、電力電子用硅基氮化鎵製造工藝在2019年也取得了較大的進展。
廈門市三安集成電路有限公司
廈門市三安集成電路有限公司成立於2014年，是LED晶元製造公司三安光電下屬子公司，基於氮化鎵和砷化鎵技術經營業務，是一家專門從事化合物半導體製造的代工廠，服務於射頻、毫米波、功率電子和光學市場，具備襯底材料、外延生長以及晶元製造的產業整合能力。
三安集成項目總規劃用地281 畝，總投資額30億元，規劃產能為30萬片/年GaAs高速半導體外延片、30萬片/年GaAs高速半導體晶元、6萬片/年GaN高功率半導體外延片、6萬片/年GaN高功率半導體晶元。官網顯示，三安集成在微波射頻領域已建成專業化、規模化的4英寸、6英寸化合物晶圓製造產線，在電子電路領域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二極體及硅基氮化鎵功率器件。
華潤微電子有限公司
華潤微電子有限公司是華潤集團旗下負責微電子業務投資、發展和經營管理的企業，亦是中國本土具有重要影響力的綜合性微電子企業，其聚焦於模擬與功率半導體等領域，業務包括集成電路設計、掩模製造、晶圓製造、封裝測試及分立器件，目前擁有6-8英寸晶圓生產線5條、封裝生產線2條、掩模生產線1條、設計公司3家，為國內擁有完整半導體產業鏈的企業。
2017年12月，華潤微電子完成對中航（重慶）微電子有限公司（後更名為「華潤微電子（重慶）有限公司」）的收購，重慶華潤微電子採用8英寸0.18微米工藝技術進行晶元生產，並在主生產線外建有獨立的MEMS和化合物半導體工藝線，具備氮化鎵功率器件規模化生產製造能力。
杭州士蘭微電子股份有限公司
杭州士蘭微電子股份有限公司成立於成立於1997年，專業從事集成電路晶元設計以及半導體相關產品製造，2001年開始在杭州建了第一條5英寸晶元生產線，現已成為國內集成電路晶元設計與製造一體（IDM）企業。
近年來，士蘭微逐步布局第三代化合物功率半導體。2017年，士蘭微打通一條6英寸的硅基氮化鎵功率器件中試線。2018年10月，士蘭微廈門12英寸晶元生產線暨先進化合物半導體生產線開工，其中4/6英寸兼容先進化合物半導體器件生產線總投資50億元，定位為第三代功率半導體、光通訊器件、高端LED晶元等。
GaN IDM企業
蘇州能訊高能半導體公司
蘇州能訊高能半導體有限公司成立於2011年，致力於寬禁帶半導體氮化鎵電子器件技術與產業化，為5G移動通訊、寬頻帶通信等射頻微波領域和工業控制、電源、電動 汽車 等電力電子領域等兩大領域提供高效率的半導體產品與服務。
能訊半導體採用整合設計與製造（IDM）的模式，自主開發了氮化鎵材料生長、晶元設計、晶圓工藝、封裝測試、可靠性與應用電路技術，目前公司擁有專利256項。該公司在江蘇建有一座氮化鎵（GaN）電子器件工廠，廠區佔地55畝，累計投資10億元。
江蘇能華微電子 科技 發展有限公司
江蘇能華微電子 科技 發展有限公司成立於2010年6月，是由國家千人計劃專家朱廷剛博士領銜的、由留美留澳留日歸國團隊創辦的一家專業設計、研發、生產、製造和銷售以氮化鎵為代表的復合半導體高性能晶圓、以及用其做成的功率器件、晶元和模塊的高 科技 公司。
能華微電子先後承擔了國家電子信息產業振興和技術改造專項的大功率GaN功率電子器件及其材料的產業化項目、國家重點研發計劃戰略性先進電子材料重點專項的GaN基新型電力電子器件關鍵技術項目等。2017年，能華微電子建成8英寸氮化鎵晶元生產線並正式啟用。
英諾賽科（珠海） 科技 有限公司
英諾賽科（珠海） 科技 有限公司成立於2015年12月，該公司採用IDM 全產業鏈模式，致力於打造一個集研發、設計、外延生長、晶元製造、測試與失效分析為一體的第三代半導體生產平台。2017年11月，英諾賽科的8英寸硅基氮化鎵生產線通線投產，成為國內首條實現量產的8英寸硅基氮化鎵生產線，主要產品包括30V-650V氮化鎵功率與5G射頻器件。
2018年6月，總投資60億元的英諾賽科蘇州半導體晶元項目開工，今年8月30日項目主廠房封頂，預計12月底生產設備正式進廠，2020年可實現規模化量產。該項目聚焦在氮化鎵和碳化硅等核心產品，將打造將成為集研發、設計、外延生產、晶元製造、分裝測試等於一體的第三代半導體全產業鏈研發生產平台。
大連芯冠 科技 有限公司
大連芯冠 科技 有限公司成立於2016年3月，該公司採用整合設計與製造（IDM）的商業模式，主要從事第三代半導體硅基氮化鎵外延材料及電力電子器件的研發、設計、生產和銷售，產品應用於電源管理、太陽能逆變器、電動 汽車 及工業馬達驅動等領域。
官網介紹稱，芯冠 科技 已建成首條6英寸硅基氮化鎵外延及功率器件晶圓生產線。2019年3月，芯冠 科技 在國內率先推出符合產業化標準的650伏硅基氮化鎵功率器件產品（通過1000小時HTRB可靠性測試），並正式投放市場。
江蘇華功半導體有限公司
江蘇華功半導體有限公司成立於2016年5月，注冊資本為2億元人民幣，一期投入10億元人民幣。官網介紹稱，目前公司已全面掌握大尺寸Si襯底高電導、高耐壓、高穩定性的GaN外延技術並掌握具有自主知識產權的增強型功率電子器件製造技術。
根據官網顯示，華功半導體可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率電子器件用外延片產品，並基於華功自有知識產權的GaN-on-Si外延技術設計和製造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。
關於集邦咨詢（TrendForce）
集邦咨詢(TrendForce)是一家橫跨存儲、集成電路與半導體、光電顯示、LED、新能源、智能終端、5G與通訊網路、 汽車 電子和人工智慧等領域的全球高 科技 產業研究機構。公司在行業研究、政府產業發展規劃、項目評估與可行性分析、企業咨詢與戰略規劃、媒體營銷等方面積累了多年的豐富經驗，是政企客戶在高 科技 領域進行產業分析、規劃評估、顧問咨詢、品牌宣傳的最佳合作夥伴。
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⑥ 北京世紀金光科技有限公司怎麼樣
簡介：北京世紀金光科技有限公司成立於2006年07月21日，主要經營范圍為法律、行政法規、國務院決定禁止的，不得經營等。
法定代表人：李春勝
成立時間：2006-07-21
注冊資本：3萬人民幣
工商注冊號：1101082979709
企業類型：有限責任公司(自然人投資或控股)
公司地址：北京市海淀區圓明園西路5號辦公樓102室
⑦ 揭秘第三代半導體，三大領域加速爆發！百億市場火爆
隨著綠色低碳戰略的不斷推進,提升能源利用效率和能源轉換效率已經成為各行各業的共識,如何利用現代化新技術建成可循環的高效、高可靠性的能源網路,無疑是當前各國重點關注的問題。
值此背景下,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體成為市場聚焦的新賽道。根據Yole預測數據, 2025年全球以半絕緣型襯底制備的GaN器件市場規模將達到20億美元,2019-2025年復合年均增長率高達12%! 其中,軍工和通信基站設備是GaN器件主要的應用市場,2025年市場規模分別為11.1億美元和7.31億美元;
全球以導電型碳化硅襯底制備的SiC器件市場規模到2025年將達到25.62億美元,2019- 2025年復合年均增長率高達30%! 其中,新能源汽車和光伏及儲能是SiC器件主要的應用市場, 2025年市場規模分別為15.53億美元和3.14億美元。
本文中,我們將針對第三代半導體產業多個方面的話題,與國內外該領域知名半導體廠商進行探討解析。
20世紀50年代以來,以硅(Si)、鍺(Ge)為代的第一代半導體材料的出現,取代了笨重的電子管,讓以集成電路為核心的微電子工業的發展和整個IT產業的飛躍。人們最常用的CPU、GPU等產品,都離不開第一代半導體材料的功勞。可以說是由第一代半導體材料奠定了微電子產業的基礎。
然而由於硅材料的帶隙較窄、電子遷移率和擊穿電場較低等原因,硅材料在光電子領域和高頻高功率器件方面的應用受到諸多限制。因此,以砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導體材料開始嶄露頭角,使半導體材料的應用進入光電子領域,尤其是在紅外激光器和高亮度的紅光二極體方面。與此同時,4G通信設備因為市場需求增量暴漲,也意味著第二代半導體材料為信息產業打下了堅實基礎。
在第二代半導體材料的基礎上,人們希望半導體元器件具備耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻射、導電性能更強、工作速度更快、工作損耗更低特性,第三代半導體材料也正是基於這些特性而誕生。
筆者注意到,對於第三代半導體產業各家半導體大廠的看法也重點集中在 「高效」、「降耗」、「突破極限」 等核心關鍵詞上。
安森美中國汽車OEM技術負責人吳桐博士 告訴筆者: 「第三代半導體優異的材料特性可以突破硅基器件的應用極限,同時帶來更好的性能,這也是未來功率半導體最主流的方向。」 他表示隨著第三代半導體技術的普及,傳統成熟的行業設計都會有突破點和優化的空間。
英飛凌科技電源與感測系統事業部大中華區應用市場總監程文濤 則從能源角度談到,到2025年,全球可再生能源發電量有望超過燃煤發電量,將推動第三代半導體器件的用量迅速增長。 在用電端,由於數據中心、5G通信等場景用電量巨大,節電降耗的重要性凸顯,也將成為率先採用第三代半導體器件做大功率轉換的應用領域。
第三代半導體材料區別於前兩代半導體材料最大的區別就在於帶隙的不同。 第一代半導體材料屬於間接帶隙,窄帶隙;第二代半導體材料屬於直接帶隙,同樣也是窄帶隙;二第三代半導體材料則是全組分直接帶隙,寬禁帶。
和前兩代半導體材料相比,更寬的禁帶寬度允許材料在更高的溫度、更強的電壓與更快的開關頻率下運行。
隨著碳化硅、氮化鎵等具有寬禁帶特性(Eg>2.3eV)的新興半導體材料相繼出現,世界各國陸續布局、產業化進程快速崛起。具體來看:
與硅相比, 碳化硅擁有更為優越的電氣特性 :
1.耐高壓 :擊穿電場強度大,是硅的10倍,用碳化硅制備器件可以極大地 提高耐壓容量、工作頻率和電流密度,並大大降低器件的導通損耗;
2.耐高溫 :半導體器件在較高的溫度下,會產生載流子的本徵激發現象,造成器件失效。禁帶寬度越大,器件的極限工作溫度越高。碳化硅的禁帶接近硅的3倍,可以保證碳化硅器件在高溫條件下工作的可靠性。硅器件的極限工作溫度一般不能超過300℃,而碳化硅器件的極限工作溫度可以達到600℃以上。同時,碳化硅的熱導率比硅更高,高熱導率有助於碳化硅器件的散熱,在同樣的輸出功率下保持更低的溫度,碳化硅器件也因此對散熱的設計要求更低,有助於實現設備的小型化;
3.高頻性能 :碳化硅的飽和電子漂移速率是硅的2倍,這決定了碳化硅器件可以實現更高的工作頻率和更高的功率密度。基於這些優良的特性,碳化硅襯底的使用極限性能優於硅襯底,可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求,已應用於射頻器件及功率器件。
氮化鎵則具有寬禁帶、高電子漂移速度、高熱導率、耐高電壓、耐高溫、抗腐蝕、耐輻照等突出優點。 尤其是在光電子器件領域,氮化鎵器件作為LED照明光源已廣泛應用,還可制備成氮化鎵基激光器;在微波射頻器件方面,氮化鎵器件可用於有源相控陣雷達、無線電通信、基站、衛星等軍事 或者民用領域;氮化鎵也可用於功率器件,其比傳統器件具有更低的電源損耗。
半導體行業有個說法: 「一代材料,一代技術,一代產業」 ,在第三代半導體產業規模化出現之前,也還存在著不少亟待解決的技術難題。
第三代半導體全產業鏈十分復雜,包括襯底→外延→設計→製造→封裝。 其中,襯底是所有半導體晶元的底層材料,起到物理支撐、導熱、導電等作用;外延是在襯底材料上生長出新的半導體晶層,這些外延層是製造半導體晶元的重要原料,影響器件的基本性能;設計包括器件設計和集成電路設計,其中器件設計包括半導體器件的結構、材料,與外延相關性很大;製造需要通過光刻、薄膜沉積、刻蝕等復雜工藝流程在外延片上製作出設計好的器件結構和電路;封裝是指將製造好的晶圓切割成裸晶元。
前兩個環節襯底和外延生長正是第三代半導體生產工藝及其難點所在。我們重點挑選碳化硅、氮化鎵兩種典型的第三代半導體材料來看,它們的生產制備到底還面臨哪些問題。
從碳化硅來看,還需要「降低襯底生長缺陷,以及提高工藝效率」 。首先碳化硅單晶制備目前最常用的是物理氣相輸運法(PVT)或籽晶的升華法,而碳化硅單晶在形成最終的短圓柱狀之前,還需要通過機械加工整形、切片、研磨、拋光等化學機械拋光和清洗等工藝才能成為襯底材料。
這一機械、化學製造過程存在著加工困難、製造效率低、製造成本高等問題。此外,如果再加上考慮單晶加工的效率和成本問題,那還能夠保障晶片具備良好的幾何形貌,如總厚度變化、翹曲度、變形,而且晶片表面質量(粗糙度、劃傷等)是否過關等,這都是碳化硅襯底制備中的巨大挑戰。
此外,碳化硅材料是目前僅次於金剛石硬度的材料,材料的機械加工主要以金剛石磨料為基礎切割線、切割刀具、磨削砂輪等工具。這些工具的制備難度大,使用壽命短,加工成本高,為了延長工具壽命、提高加工質量,往往會採用微量或極低速進給量,這就犧牲了碳化硅材料制備的整體生產效率。
對於氮化鎵來說,則更看重「襯底與外延材料需匹配」的難題 。由於氮化鎵在高溫生長時「氮」的離解壓很高,很難得到大尺寸的氮化鎵單晶材料,當前大多數商業器件是基於異質外延的,比如藍寶石、AlN、SiC和Si材料襯底來替代氮化鎵器件的襯底。
但問題是這些異質襯底材料和氮化鎵之間的晶格失配和熱失配非常大,晶格常數差異會導致氮化鎵襯底和外延層界面處的高密度位錯缺陷,嚴重的話還會導致位錯穿透影響外延層的晶體質量。這也就是為什麼氮化鎵更看重襯底與外延材料需匹配的難點。
在落地到利用第三代半導體材料去解決具體問題時,程文濤告訴OFweek維科網·電子工程, 英飛凌的碳化硅器件所採用的溝槽式結構解決了大多數功率開關器件的可靠性問題。
比如現在大多數功率開關器件產品採用的是平面結構,難以在開關的效率上和長期可靠性上得到平衡。採用平面結構,如果要讓器件的效率提高,給它加點電,就能導通得非常徹底,那麼它的門級就需要做得非常薄,這個很薄的門級結構,在長期運行的時候,或者在大批量運用的時候,就容易產生可靠性的問題。
如果要把它的門級做的相對比較厚,就沒辦法充分利用溝道的導通性能。而採用溝槽式的做法就能夠很好地解決這兩個問題。
吳桐博士則從產業化的角度提出, 第三代半導體技術的難點在於有關設計技術和量產能力的協調,以及對長期可靠性的保障。尤其是量產的良率,更需要持續性的優化,降低成本,提升可靠性。
觀察當前半導體市場可以發現,占據市場九成以上的份額的主流產品依然是硅基晶元。
但近些年來,「摩爾定律面臨失效危機」的聲音不絕於耳,隨著晶元設計越來越先進,晶元製造工藝不斷接近物理極限和工程極限,晶元性能提升也逐步放緩,且成本不斷上升。
業界也因此不斷發出質疑,未來晶元的發展極限到底在哪,一旦硅基晶元達到極限點,又該從哪個方向下手尋求晶元效能的提升呢?筆者通過采訪發現,國內外廠商在面對這一問題時,雖然都表達出第三代半導體產業未來值得期待,但也齊齊提到在這背後還需要重點解決的成本問題。
「目前硅基半導體從架構上、從可靠性、從性能的提升等方面,基本上已經接近了物理極限。第三代半導體將接棒硅基半導體,持續降低導通損耗,在能源轉換的領域作出貢獻,」 程文濤也為筆者描述了當前市場上的一種現象:可能會存在一些定價接近硅基半導體的第三代半導體器件,但並不代表它的成本就接近硅基半導體。因為那是一種商業行為,就是通過低定價來催生這個市場。
以目前的工藝來講,第三代半導體的成本還是遠高於硅基半導體 ,程文濤表示:「至少在可見的將來,第三代半導體不會完全取代第一代半導體。因為從性價比的角度來說,在非常寬的應用范圍中,硅基半導體目前依然是不二之選。第三代半導體目前在商業化上的瓶頸就是成本很高,雖然在迅速下降,但依然遠高於硅基半導體。」
作為中國碳化硅功率器件產業化的倡導者之一,泰科天潤同樣也表示對第三代半導體產業發展的看好。
雖然碳化硅單價目前比硅高不少,但從系統整體的角度來看,可以節約電感電容以及散熱片。如果是大功率電源系統整體角度看成本未必更高,同時還能更好地提升效率。 這也是為什麼現階段雖然單器件碳化硅比硅貴,依然不少領域客戶已經批量使用了。
從器件的角度來看,碳化硅從四寸過度到六寸,未來往八寸甚至十二寸發展,碳化硅器件的成本也將大幅度下降。據泰科天潤介紹,公司新的碳化硅六寸線於去年就已經實現批量出貨,為客戶提供更高性價比的產品,有些產品實現20-30%的降價幅度。除此之外,泰科天潤耗時1年多成功開發了碳化硅減薄工藝,在Vf水平不變的情況下,可以縮小晶元面積,進一步為客戶提供性價比更高的產品。
泰科天潤還告訴筆者:「這兩年隨著國外友商的缺貨或漲價,比如一些高壓硅器件,這些領域已經出現碳化硅取代硅的現象。隨著碳化硅晶圓6寸產線生產技術的成熟,8寸晶圓的發展,碳化硅器件有望與硅基器件達到相同的價格水平。」
吳桐博士認為, 目前來看在不同的細分市場,第三代半導體跟硅基器件是一個很好的互補,也是價錢vs性能的一個平衡。隨著第三代半導體的成熟以及成本的降低,最終會慢慢取代硅基產品成為主流方案。
那麼對於企業而言,該如何發揮第三代半導體的綜合優勢呢?吳桐博士表示,於安森美而言,首先是要垂直整合,保證穩定的供應鏈,可長期規劃的產能布局以及達到客觀的投資回報率;其次是在技術研發上繼續發力,比如Rsp等參數,相比行業水準,實現用更小的半導體面積實現相同功能,這樣單個器件成本得以優化;第三是持續地提升FE/BE良率,等效的降低成本;第四是與行業大客戶共同開發定義新產品,保證競爭力以及穩定的供需關系;最後也是重要的一點,要幫助行業共同成長,蛋糕做大,產能做強,才能使得單價有進一步下降的空間。
第三代半導體產業究竟掀起了多大的風口?根據《2020「新基建」風口下第三代半導體應用發展與投資價值白皮書》內容:2019年我國第三代半導體市場規模為94.15億元,預計2019-2022年將保持85%以上平均增長速度,到2022年市場規模將達到623.42億元。
其中,第三代半導體襯底市場規模從7.86億元增長至15.21億元,年復合增速為24.61%,半導體器件市場規模從86.29億元增長至608.21億元,年復合增速為91.73%。
得益於第三代半導體材料的優良特性,它在 光電子、電力電子、通訊射頻 等領域尤為適用。具體來看:
光電子器件 包括發光二極體、激光器、探測器、光子集成電路等,多用於5G通信領域,場景包括半導體照明、智能照明、光纖通信、光無線通信、激光顯示、高密度存儲、光復印列印、紫外預警等;
電力電子器件 包括碳化硅器件、氮化鎵器件,多用於新能源領域,場景包括消費電子、新能源汽車、工業、UPS、光伏逆變器等;
微波射頻器件 包括HEMT(高電子遷移率晶體管)、MMIC(單片微波集成電路)等,同樣也是用在5G通信領域,不過場景則更加高端,包括通訊基站及終端、衛星通訊、軍用雷達等。
現階段,歐美日韓等國第三代半導體企業已形成規模化優勢,占據全球市場絕大多數市場份額。我國高度重視第三代半導體發展,在研發、產業化方面出台了一系列支持政策。國家科技部、工信部等先後開展了「戰略性第三代半導體材料項目部署」等十餘個專項,大力支持第三代半導體技術和產業發展。
早在2014年,工信部發布的《國家集成電路產業發展推進綱要》提出設立國家產業投資基金,重點支持集成電路等產業發展,促進工業轉型升級,同時鼓勵社會各類風險投資和股權投資基金進入集成電路領域;在去年全國人大發布《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》中,進一步強調培育先進製造業集群,推動集成電路、航空航天等產業創新發展。瞄準人工智慧、量子信息、集成電路等前沿領域,實施一批具有前瞻性、戰略性的國家重大科技項目。
具體來看當前主要應用領域的發展情況:
1.新能源汽車
新能源汽車行業是未來市場空間巨大的新興市場,全球范圍內新能源車的普及趨勢明朗。隨著電動汽車的發展,對功率半導體器件需求量日益增加,成為功率半導體器件新的經濟增長點。得益於碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性,在車載級的電機驅動器、OBC及DC/DC部分,碳化硅器件的使用已經比較普遍。對於非車載充電樁產品, 由於成本的原因,目前使用比例還相對較低,但部分廠商已開始利用碳化硅器件的優勢,通過降低冷卻等系統的整體成本找到了市場。
2.光伏
光伏逆變器曾普遍採用硅器件,經過40多年的發展,轉換效率和功率密度等已接近理論極限。碳化硅器件具有低損耗、高開關頻率、高適用性、降低系統散熱要求等優點,將在光伏新能源領域得到廣泛應用。例如,在住宅和商業設施光伏系統中的組串逆變器里,碳化硅器件在系統級層面帶來成本和效能的好處。
3.軌道交通
未來軌道交通對電力電子裝置,比如牽引變流器、電力電子電壓器等提出了更高的要求。採用碳化硅功率器件可以大幅度提高這些裝置的功率密度和工作效率,有助於明顯減輕軌道交通的載重系統。目前,受限於碳化硅功率器件的電流容量,碳化硅混合模塊將首先開始替代部分硅IGBT模塊。未來隨著碳化硅器件容量的提升,全碳化硅模塊將在軌道交通領域發揮更大的作用。
4.智能電網
目前碳化硅器件已經在中低壓配電網開始了應用。未來更高電壓、更大容量、更低損耗的柔性輸變電將對萬伏級以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能電網的主要應用包括高壓直流輸電換流閥、柔性直流輸電換流閥、靈活交流輸電裝置、高壓直流斷路器、電力電子變壓器等裝置中。
第三代半導體自從在2021年被列入十四五規劃後,相關概念持續升溫,迅速成為超級風口,投資熱度高居不下。
時常會聽到業內說法稱,第三代半導體國內外都是同一起跑線出發,目前大家差距相對不大,整個產業發展仍處於爆發前的「搶跑」階段,對國內而言第三代半導體材料更是有望成為半導體產業的「突圍先鋒」,但事實真的是這樣嗎?
從起步時間來看,歐日美廠商率先積累專利布局,比如 英飛凌一直走在碳化硅技術的最前沿,從30年前(1992年)開始包含碳化硅二極體在內的功率半導體的研發,在2001年發布了世界上第一款商業化碳化硅功率二極體 ,此後至今英飛凌不斷推出了各種性能優異的碳化硅功率器件。除了產品本身,英飛凌在2018年收購了Siltectra,致力於通過冷切割技術優化工藝流程,大幅提高對碳化硅原材料的利用率,有效降低碳化硅的成本。
安森美也是第三代半導體產業布局中的佼佼者,據筆者了解, 安森美通過收購上游碳化硅供應企業GTAT實現了產業鏈的垂直整合,確保產能和質量的穩定。同時藉助安森美多年的技術積累以及幾年前收購Fairchild半導體基因帶來的技術補充,安森美的碳化硅技術已經進入第三代,綜合性能在業界處於領先地位 。目前已成為世界上少數提供從襯底到模塊的端到端碳化硅方案供應商,包括碳化硅球生長、襯底、外延、器件製造、同類最佳的集成模塊和分立封裝方案。
具體到技術上, 北京大學教授、寬禁帶半導體研究中心主任沈波 也曾提出,國內第三代半導體和國際上差距比較大,其中很重要的領域之一是碳化硅功率電子晶元。這一塊國際上已經完成了多次迭代,雖然8英寸技術還沒投入量產,但是6英寸已經是主流技術,二極體已經發展到了第五代,三極體也發展到了第三代,IGBT也已進入產業導入前期。
另外車規級的碳化硅MOSFET模塊在意法半導體率先通過以後,包括羅姆、英飛凌、科銳等國際巨頭也已通過認證,國際上車規級的碳化硅晶元正逐漸走向規模化生產和應用。反觀國內,目前真正量產的主要還是碳化硅二極體,工業級MOSFET模塊估計到明年才能實現規模量產,車規級碳化硅模塊要等待更長時間才能量產。
泰科天潤也直言,國內該領域仍處於後發追趕階段:器件方面,從二極體的角度, 國產碳化硅二極體基本上水平和國外差距不大,但是碳化硅MOSFET國內外差距還是有至少1-2代的差距 ;可靠性方面,國外碳化硅產品市場應用推廣較早,積累了更加豐富的應用經驗,對產品可靠性的認知,定義以及關聯解決可靠性的方式都走得更前一些,國內廠家也在推廣市場的過程中逐步積累相關經驗;產業鏈方面,國外廠家針對碳化硅的材料優勢,相關匹配的產業鏈都做了對應的優化設計,使之能更加契合的體現碳化硅的材料優勢。
OFweek維科網·電子工獲悉,泰科天潤在湖南新建的碳化硅6寸晶圓產線,第一期60000片/六寸片/年。此產線已經於去年實現批量出貨,2022年始至4月底已經接到上億元銷售訂單。 作為國內最早從事碳化硅晶元生產研發的公司,泰科天潤積累了10餘年的生產經驗,針對特定領域可以結合自身的研發,生產和工藝一體化,快速為客戶開發痛點新品 ,例如公司全球首創的史上最小650V1A SOD123,專門針對解決自舉驅動電路已經替換高壓小電流Si FRD解決反向恢復的痛點問題而設計。
雖然說IDM方面,我國在碳化硅器件設計方面有所欠缺,少有廠商涉及於此,但後發追趕者也不在少數。
就拿碳化硅產業來看,單晶襯底方面國內已經開發出了6英寸導電性碳化硅襯底和高純半絕緣碳化硅襯底。 山東天岳、天科合達、河北同光、中科節能 均已完成6英寸襯底的研發,中電科裝備研製出6英寸半絕緣襯底。
此外,在模塊、器件製造環節我國也涌現了大批優秀的企業,包括 三安集成、海威華芯、泰科天潤、中車時代、世紀金光、芯光潤澤、深圳基本、國揚電子、士蘭微、揚傑科技、瞻芯電子、天津中環、江蘇華功、大連芯冠、聚力成半導體 等等。
OFweek維科網·電子工程認為,隨著我國對新型基礎建設的布局展開和「雙碳」目標的提出,碳化硅和氮化稼等第三代半導體的作用也愈發凸顯。
上有國家支持政策,下有新能源汽車、5G通信等旺盛市場需求, 我國第三代半導體產業也開始由「導入期」向「成長期」過渡,初步形成從材料、器件到應用的全產業鏈。但美中不足在於整體技術水平還落後世界頂尖水平好幾年,因此在材料、晶圓、封裝及應用等環節的核心關鍵技術和可靠性、一致性等工程化應用問題上還需進一步完善優化。
當前,全球正處於新一輪科技和產業革命的關鍵期,第三代半導體產業作為新一代電子信息技術中的重點組成部分,為能源革命帶來了深刻的改變。
在此背景下,OFweek維科網·電子工程作為深耕電子產業領域的資深媒體,對全球電子產業高度關注,緊跟產業發展步伐。為了更好地促進電子工程師之間技術交流,推動國內電子行業技術升級,我們繼續聯袂數十家電子行業企業技術專家,推出面向電子工程師技術人員的專場在線會議 「OFweek 2022 (第二期)工程師系列在線大會」 。
本期在線會議將於6月22日在OFweek官方直播平台舉辦,將邀請國內外知名電子企業技術專家,聚焦半導體領域展開技術交流,為各位觀眾帶來技術講解、案例分享和方案展示。
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